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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
61
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
61
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
1813
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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