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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
75
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
75
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
1763
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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