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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3187
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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