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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2822
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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