RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3716
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link