RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
1919
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link