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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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