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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2728
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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