RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
84
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
84
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1486
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link