RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2854
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link