RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
51
En -19% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
43
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2615
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link