RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1763
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link