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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 42
    En -50% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 12.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2173 left arrow 2022

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