RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
66
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
66
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2429
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link