RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
52
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
2306
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link