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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2395 left arrow 2213

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Memoria RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Memoria RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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Memoria RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Memoria RAM