RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
92
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2340
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link