RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
92
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3261
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link