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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
92
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3221
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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