RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
92
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
64
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2205
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link