RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2431
3188
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link