RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2931
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link