RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2635
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link