RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2486
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology ADOPE1B163B2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link