RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2854
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link