RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
74
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
74
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
1825
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link