RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
61
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
3273
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link