RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2126
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link