RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2234
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link