RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
72
En -140% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2374
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link