RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3609
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link