RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
71
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
71
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1757
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link