RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
62
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
62
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
1808
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link