RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3987
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link