RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2978
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link