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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
122
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
122
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
1411
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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