RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
71
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
62
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
1772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link