RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
71
En -196% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2915
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link