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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 10.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2312 left arrow 2124

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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Memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Memoria RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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