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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2284
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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