RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
45
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2556
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link