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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3283
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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