RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3030
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link