Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 54
    En 20% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 54
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.3 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2285 left arrow 1904
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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