RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
67
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
1798
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link