RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2942
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link