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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2680
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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