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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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