RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
84
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
84
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
1486
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link