RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3394
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link